Lo sviluppo di dispositivi di memoria ad alte prestazioni gioca un ruolo chiave nell’innovazione dell’elettronica moderna. Spinto dalla richiesta di una massiccia archiviazione dei dati e di un’elaborazione dei dati ultraveloce, è stato compiuto un grande passo in avanti verso le memory ultrahigh-speed. 
Alcuni ricercatori cinesi hanno scoperto un nuovo meccanismo per sviluppare dispositivi di memoria non volatile ad altissima velocità, come rivelato dall’Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences (CAS).
La scoperta: un memoria non volatile floating-gate ad altissima velocità
I dispositivi di memoria non volatile, inclusa la memoria di sola lettura (ROM) e la memoria flash, hanno un’elevata capacità e affidabilità meccanica. Ma le loro prestazioni sono state ostacolate dal basso tasso di estinzione e dalla bassa velocità operativa.
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Un team di ricerca dell’Istituto di Fisica ha sviluppato dispositivi di memoria non volatile floating-gate ad altissima velocità, basati su eterostrutture di Van der Waals con interfacce atomicamente nitide tra diversi elementi funzionali, con un valore di estinzione fino a 10 miliardi.
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Tali dispositivi di memoria possono eseguire operazioni di lettura e scrittura entro un intervallo di 20 nanosecondi, conservando i dati per almeno dieci anni. Un salto in lungo pauroso in relazione agli attuali dispositivi di memoria flash in commercio. Che leggono e scrivono dati nell’intervallo di 100 microsecondi o 100.000 nanosecondi.
Le eterostrutture di Van der Waals sono realizzate con diversi materiali stratificati e possono essere impiegate in campi di ricerca che vanno dalla scienza dei materiali all’elettrochimica. La ricerca, finanziata dalla National Natural Science Foundation of China, dal Ministero della Scienza e della Tecnologia e dal CAS, è stata pubblicata lunedì sulla rivista Nature Nanotechnology, con il titolo: “Un dispositivo di memoria non volatile ad altissima velocità“.
Wu Liangmei (laureato), Wang Aiwei (laureato), Shi Jinan (Università dell’Accademia cinese delle Scienze) e Yan Jiahao (laureato) sono i primi autori dell’avanguardissimo meccanismo per memorie ultra-veloci che riduce tempi elaborazione da 100.000 a 20 nanosecondi. Il ricercatore Bao Lihong, il professor Ouyang Min e l’accademico Gao Hongjun, i co -autori.
Anche il professor Zhou Wu, dell’Università dell’Accademia cinese delle scienze, ha partecipato a questa importantissima ricerca.