Con quattro chip da 8 GB combinabili fra loro, la soluzione del produttore coreano mette a disposizione un unico blocco di memoria da 4 GB LPDDR4.
Sviluppata da Samsung la prima memoria DRAM da 8 GB di tipo LPDDR4 (Low Power Double Data Rate). Il nuovo componente, realizzato grazie al processo a 20 nm, è in grado di offrire fino a 1 GB di memoria su un singolo die; un record se si parla di densità sulla DRAM.
Con quattro chip da 8 GB combinabili fra loro, la soluzione del produttore coreano mette a disposizione un unico blocco di memoria da 4 GB LPDDR4. Un plus, questo, che favorirà l’evoluzione hardware delle prossime generazioni di smartphone e tablet con display maggiormente definiti e con processori più performanti.
Per quanto concerne il trasferimento dati, l’innovativa DRAM Samsung vanta un’interfaccia Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O e velocità pari a 3200 Mbps, il doppio rispetto alle DRAM LPDDR3 attualmente in commercio.
