Svolta clamorosa nella tecnologia del SoC: l’ultimo ritrovato permetterebbe alla batteria del telefono di durare per una settimana. 
IBM e Samsung lanciano una tecnologia destinata a rivoluzionare l’industria dei semiconduttori e di conseguenza quella di smartphone e dispositivi portatili. Il design ideato dai due colossi tecnologici mira a dar vita a chipset mai visti finora e dai margini ben più ampi rispetto a quelli concepiti finora. La partnership ha infatti implementato dei transistor posizionati verticalmente sul chip, ottimizzando quindi la disposizione dei circuiti. Risultato, un enorme incremento della performance che corrisponde ovviamente a un potenziale risparmio energetico impensabile per il SoC con circuiti distribuiti orizzontalmente.
Questo tipo di design, sostengono i due partner, potrebbe infatti ridurre il consumo di energia dell’85% rispetto ai transistor finFET, presenti nei chip di oggi, alle prese con problemi di spazio. Più potenza computazionale richiede più circuiti, ma ovviamente esiste un vincolo fisico che ha spinto gli sviluppatori a pensare “out of the box”, fuori dagli schemi, arrivando a concepire un SoC dove i transistor sono immagazzinati in senso verticale. La nuova tecnologia prende il nome di VTFET (Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor) ed è stata illustrata nel video in fondo a questa pagina
Batterie che durano una settimana grazie al Chipset rivoluzionario di IBM e Samsung
Il nuovo design, dunque, prevede transistor affiancati perpendicolarmente al chip anziché orizzontalmente, cosicché l’energia scorra verticalmente e non lateralmente da un circuito all’altro. Pertanto, un microprocessore VTFET consentirà una densità dei transistor molto più alta rispetto a un FinFET. IBM fa riferimento alla legge di Moore, secondo cui il numero dei transitor del processore è destinato a raddoppiare ogni due anni: se le promesse del VTFET saranno mantenute alla prova dei fatti, tale legge rimarrà valida ancora per molti anni.
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A limitare lo spazio disponibile su un chip tradizionale, è la presenza di distanziatori, contatti e porte. Secondo il comunicato di IBM, il VTFET supera proprio questo tipo di scoglio: “Il nuovo approccio abbatte le barriere che limitano la riduzione delle dimensioni del processore, ottimizzando la lunghezza delle porte dei transistor, lo spessore dei distanziatori e sulla grandezza dei contatti, con benefici sia sotto il profilo delle prestazioni che per quanto concerne il consumo di energia“.
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E già, perché lavoro ed energia sono in questo caso due facce della stessa medaglia. In altre parole, abbiamo facoltà di scegliere di attivare con la medesima quantità di energia una potenza di calcolo estremamente più alta, oppure alimentare un dispositivo tradizionale più a lungo. Le stime di IBM e Samsung parlano di smartphone che potrebbero essere ricaricati non più di una volta a settimana. Una vera e propria bomba, visto che la durata della batteria resta uno dei temi più “caldi” quando si valuta un device mobile. Ma non solo. Un aumento di energia così imponente strizza anche l’occhio al mining delle criptovalute, che proprio per colpa dei requisiti energetici presta il fianco a facili critiche di stampo ecologista. Il VTFET, insomma, potrebbe anche sostenere la potenza di calcolo necessaria a gestire la blockchain durante il conio di bitcoin e compagnia bella.